类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-4.1A（VGS = -10V）
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（VGS = -10V）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23、SOT-23-3

SI2301和CJ2301具有优异的导通性能和快速开关特性，适合用于高效率的功率控制应用。它们的低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。例如，SI2301在VGS = -10V时，Rds(on)典型值为28mΩ，这使得它在4A电流下仅产生约450mW的导通损耗。此外，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达-4.1A，在需要较高负载能力的场合表现出色。
　　这两种MOSFET还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在复杂的工作环境中保持稳定。其栅极电荷（Qg）较低，约为9.5nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适合高频应用。SOT-23封装使得器件体积小巧，适合高密度PCB布局。
　　另外，SI2301/CJ2301的栅源电压范围为±12V，使其能够与常见的数字控制系统兼容，适用于由微控制器驱动的开关电路。其工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

SI2301/CJ2301常用于电源管理、DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关、马达驱动、LED驱动以及各类便携式电子产品中。由于其低导通电阻和高电流能力，它们特别适合用于同步整流、电源路径控制和热插拔电路等应用。
　　在电源管理方面，该器件常用于多路电源切换、电池充电和放电控制。例如，在笔记本电脑或移动电源中，SI2301/CJ2301可以作为电池充放电路径的控制开关，实现高效能和低损耗的能量传输。
　　在负载开关应用中，SI2301/CJ2301可用于控制外部设备的电源通断，避免系统启动时的浪涌电流，提高系统的稳定性和可靠性。例如，在USB电源管理电路中，该器件可以作为电源开关来控制外设的供电。
　　此外，它们也广泛用于马达驱动、LED背光调节、热插拔保护电路以及工业控制设备中，作为高效的功率开关元件。

SI2305、AO3401、FDN340P、CJ2302、SI2302