PG03GXUS6 时间：2025/9/11 9:48:15 阅读：6

PG03GXUS6 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中进行电源管理和开关控制。该器件采用紧凑型 US6 封装（也称为 UQFN 封装），非常适合空间受限的设计场景。PG03GXUS6 在性能和可靠性方面表现出色，适用于便携式设备、DC-DC 转换器以及负载开关等应用场景。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-3A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（典型值，VGS = -4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：US6（UQFN）

特性

PG03GXUS6 以其高性能和紧凑设计而著称，适用于各种电子应用领域。这款 P 沟道 MOSFET 具有较低的导通电阻（RDS(on)），在 -4.5V 栅极电压下典型值为 0.15Ω，这使得器件在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达 -3A 的连续漏极电流，在小尺寸封装中实现了优异的电流承载能力。
　　PG03GXUS6 的 US6 封装设计不仅节省了电路板空间，还简化了 PCB 布局，这对于便携式电子产品和高密度电路设计尤为重要。此外，该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，使其能够在恶劣的环境条件下可靠运行。
　　在电气性能方面，PG03GXUS6 提供了良好的开关特性，能够快速导通和关断，减少了开关损耗。同时，该器件具备较强的抗静电能力（ESD），增强了其在复杂电路环境中的稳定性。PG03GXUS6 的设计确保了其在电源管理和负载开关应用中具有优异的可靠性。

应用

PG03GXUS6 主要用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子系统中。该器件常见于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的负载开关或 DC-DC 转换器，以优化电池寿命并提高能效。此外，PG03GXUS6 也可用于工业控制系统、电源管理模块以及低电压电源转换应用。
　　由于其高集成度和优良的电气特性，PG03GXUS6 特别适合用于需要低导通电阻和高效能的电路设计。例如，在电源管理系统中，它可以作为主开关器件，控制电源的通断，从而实现节能和保护功能。此外，该器件还可以用于电池供电设备中的反向电流保护，防止电流回流造成能量浪费或损坏其他电路组件。