SUM2016GN2 时间：2025/9/9 15:15:48 阅读：45

SUM2016GN2 是一款由富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）推出的低噪声、高线性度的射频（RF）放大器芯片，广泛应用于无线通信系统中。该器件采用富士通先进的硅锗（SiGe）工艺制造，具备优异的高频性能和低功耗特性，适用于蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、微波通信等高性能射频前端应用。SUM2016GN2 是一款 GaAs（砷化镓）工艺的低噪声放大器（LNA），工作频率范围覆盖从 50 MHz 到 6 GHz，适用于多种射频接收链路中的前置放大。

参数

工作频率：50 MHz - 6 GHz
　　增益：约16 dB（典型值）
　　噪声系数：0.55 dB（典型值）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+10 dBm
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+26 dBm
　　工作电压：3.3 V 或 5 V（可选）
　　静态电流：约40 mA（典型值）
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

SUM2016GN2 是一款专为高性能射频接收系统设计的低噪声放大器（LNA）。其核心优势在于极低的噪声系数，通常在0.55 dB左右，这使得它非常适合用于对噪声敏感的接收机前端，以提高系统整体的信噪比（SNR）。该芯片在宽频率范围内（50 MHz至6 GHz）保持稳定的高增益表现，典型增益为16 dB，并且具备良好的线性度，IIP3可达+10 dBm，有助于减少高信号强度下的失真问题。
　　此外，SUM2016GN2 支持3.3 V或5 V的供电电压，提高了其在不同系统中的适应性。其静态电流仅为40 mA左右，属于低功耗设计，适用于对功耗敏感的便携式或电池供电设备。该芯片采用SOT-23-6封装，尺寸小巧，便于集成于紧凑型射频模块中。
　　在稳定性方面，SUM2016GN2 内部集成了输入匹配网络，减少了外围元件数量，降低了设计复杂度。同时，其高线性度和良好的温度稳定性使其在各种环境条件下均能保持一致的性能表现。

应用

SUM2016GN2 主要应用于需要高性能低噪声放大的射频接收系统中。常见应用包括蜂窝通信基站（如GSM、WCDMA、LTE）、无线局域网（WLAN）设备、微波通信系统、测试与测量仪器、卫星通信接收器、GPS接收模块等。由于其宽频带特性，SUM2016GN2 也可用于多频段或多标准通信设备的射频前端，作为前置放大器以提升接收灵敏度。