BR24G32F-3GTE2 是一款由富士通(Fujitsu)推出的铁电随机存取存储器(FRAM),具有非易失性、低功耗和高速写入的特点。这款芯片采用 3V 供电,支持 SPI 接口,容量为 256Kb(32768 字节)。由于其高耐久性和数据保持能力,广泛应用于需要频繁写入和长时间数据保存的场景。
容量:256Kb (32768 字节)
接口:SPI
工作电压:2.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:8-SOIC
数据保持时间:10 年
擦写次数:10^12 次
BR24G32F-3GTE2 的核心优势在于其铁电存储技术。相比传统 EEPROM 和闪存,它提供了更高的写入速度和更低的功耗,同时具备无限次的擦写能力。该芯片支持字节级写入操作,无需额外的写保护或延迟。此外,其数据在断电后能够长期保存,非常适合工业控制、医疗设备及智能仪表等领域的应用。
以下是具体特性:
- 非易失性存储,掉电后数据不丢失。
- 支持高速 SPI 接口,最高时钟频率可达 20MHz。
- 极低的写入延迟,典型值小于 5 微秒。
- 工作电流小,待机电流接近零。
- 耐高温性能良好,能够在工业级温度范围内稳定运行。
- 具备硬件写保护引脚,防止意外写入数据。
- 小型化封装设计,便于嵌入紧凑型系统中。
BR24G32F-3GTE2 在多种行业中有着广泛的应用,尤其是在对数据可靠性要求较高的场景中表现突出。主要应用场景包括:
- 工业自动化设备中的参数存储和日志记录。
- 医疗器械的数据记录功能,例如血糖仪、心率监测仪。
- 智能电表、水表等仪表设备中的计量数据存储。
- 物联网终端节点的状态信息保存。
- RFID 标签和传感器网络中的数据缓存。
- 游戏机和消费电子产品的配置文件保存。
- 汽车电子系统的事件记录与校准数据存储。
MB85RC256V-TSSG, CAT24C32WI-TR