时间：2025/6/20 22:12:38
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STB11NM60是意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种开关和功率转换应用。STB11NM60的特点是低导通电阻和高击穿电压，能够实现高效的功率传输与控制。
这款MOSFET在工业设备、消费类电子产品及汽车电子领域中被广泛使用，其高可靠性和稳定性使得它成为许多设计工程师的首选。
最大漏源极电压：60V
连续漏极电流：11A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
STB11NM60具有较低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高系统效率。
该器件支持快速开关操作，同时具备较高的电流承载能力。
内置雪崩保护功能，使其能够在极端条件下保持稳定运行。
其紧凑的TO-220封装便于安装，并提供良好的散热性能。
此外，STB11NM60符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
STB11NM60常用于直流电机驱动、电源管理模块以及各类开关模式电源（SMPS）。
在LED照明电路中，它可以作为高效开关元件来调节亮度。
另外，该MOSFET还适合于电池管理系统中的负载切换和保护功能。
由于其坚固耐用的设计，STB11NM60也被推荐用作汽车电子中的继电器替代方案或逆变器组件。
IRFZ44N
STP11NM60
FDP12U60E
