时间：2025/8/7 7:57:23
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PFW22N60 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）的特性，适用于需要高效率和高性能的电力电子设备。PFW22N60 采用 TO-220 封装，便于散热和安装，广泛用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理系统以及工业自动化设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：22A（在 Tc=25°C）
漏源导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：125W
栅极电荷（Qg）：58nC（典型值）
漏源击穿电压（BVDSS）：600V
PFW22N60 具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（600V）确保了在高压环境下的稳定运行，适用于多种电源转换系统。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 0.22Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，PFW22N60 支持高达 22A 的连续漏极电流，在 TO-220 封装中实现了高电流承载能力，适合用于大功率负载控制。
该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 58nC，相对较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。其 ±30V 的栅源电压容限增强了在复杂电路环境中的可靠性，避免因过电压而导致的损坏。PFW22N60 还具有良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C），能够在严苛的工业环境中稳定运行。
TO-220 封装不仅便于安装在散热片上以提高散热效率，还具备良好的机械强度和电气绝缘性能，适用于多种 PCB 布局设计。PFW22N60 的这些特性使其成为工业电源、电机控制、LED 照明驱动、家电控制和新能源系统中的理想选择。
PFW22N60 MOSFET 主要应用于高功率开关电路中，包括但不限于以下领域：
1. **电源转换器**：作为主开关器件，用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，实现高效的能量转换。
2. **电机驱动**：在电机控制电路中作为功率开关，适用于工业自动化设备、机器人和电动工具。
3. **LED 照明驱动**：用于高功率 LED 灯具的恒流驱动电路，提高灯具的稳定性和能效。
4. **家用电器**：如电磁炉、洗衣机、空调等家电设备中的功率控制部分。
5. **新能源系统**：包括太阳能逆变器、风力发电控制器等可再生能源系统中的功率开关。
6. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路，确保电池组的安全和高效运行。
STP22N60K3, STW22N60K3, FQA22N60, 2SK2143
