FDPF15N50 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制以及各种高电压高电流的开关电路中。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:500V
栅源电压 Vgs:±20V
漏极电流 Id:15A
导通电阻 Rds(on):0.38Ω @ Vgs=10V
功率耗散 PD:125W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
FDPF15N50 的核心特性在于其高耐压和中等电流能力的结合,使其适用于多种功率转换场合。该器件采用先进的平面技术制造,具有良好的热稳定性和高可靠性。其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,FDPF15N50 具有较快的开关速度,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。
这款 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护。其栅极驱动特性相对稳定,在宽广的温度范围内仍能保持良好的性能表现。TO-220 封装形式也便于安装散热片,以提高散热效率。
在实际应用中,FDPF15N50 可以用于开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动、电池充电器等系统中作为主开关器件。它在工业自动化、通信设备和消费类电源产品中都有广泛的应用。
FDPF15N50 主要应用于各类中高功率开关电源系统中,如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、工业控制电源模块、LED 照明驱动电源、电机控制电路以及光伏逆变器等。此外,它也可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
FQP15N50, IRFZ44N, STP15NK50Z, FDPF30N50