PFE500SA-28 时间：2025/12/5 19:51:08 阅读：29

PFE500SA-28是一款高性能的射频功率场效应晶体管（RF Power MOSFET），专为高效率、高功率的射频放大应用设计，广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播发射机、无线基础设施以及高功率射频能量系统中。该器件采用先进的硅基LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）技术制造，能够在高频段提供卓越的增益、效率和热稳定性。PFE500SA-28工作在28V电源电压下，适用于UHF及以下频段的线性放大器设计，尤其适合需要高输出功率与高可靠性的应用场景。
　　PFE500SA-28封装采用高热导率的陶瓷金属封装（Ceramic/Metal Package），具备优良的散热性能，确保器件在长时间满负荷运行下的可靠性。其内部集成了输入匹配网络，简化了外部电路设计，并提高了整体系统的稳定性和一致性。此外，该器件具有良好的抗负载失配能力，在VSWR（电压驻波比）较高的情况下仍能保持稳定工作，避免因反射功率导致的损坏。这使得PFE500SA-28成为基站放大器、模拟/数字电视发射机和高功率射频加热设备中的理想选择。

参数

制造商：NXP Semiconductors
　　产品类别：射频晶体管 - RF FET
　　技术类型：LDMOS
　　频率范围：典型应用频率 1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：500 W（连续波）
　　工作电压：28 V
　　增益：典型值 20 dB @ 2 GHz
　　漏极效率：典型值 >70% @ 2 GHz
　　输入阻抗：已内部匹配至50 Ω
　　封装类型：Ceramic/Metal Flange Mount
　　热阻（Rth）：典型值 <0.2 °C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PFE500SA-28的核心优势在于其基于LDMOS工艺的高功率密度与高效率表现。该器件在2 GHz附近的工作频段内可实现超过500瓦的连续波（CW）输出功率，同时保持典型的70%以上漏极效率，显著降低系统功耗与散热负担。其高增益特性（典型20 dB）减少了前级驱动级的需求复杂度，允许使用较低功率的激励信号即可达到满功率输出，从而简化整个放大链的设计。器件的输入端经过内部优化匹配，直接支持50欧姆系统接口，无需额外复杂的输入匹配网络，提升了设计便利性与生产良率。
　　该器件采用陶瓷金属封装，不仅提供了优异的射频性能，还具备出色的热传导能力和机械稳定性。底座为导热金属法兰结构，便于安装于大型散热器或风冷/液冷系统中，有效控制结温上升，延长器件寿命。PFE500SA-28具有较强的抗失配能力，可在2:1甚至更高的VSWR条件下安全运行而不发生永久性损伤，结合内置的热保护机制和稳定的栅极偏置响应，增强了系统在恶劣环境下的鲁棒性。
　　在动态性能方面，PFE500SA-28表现出低互调失真和良好的线性度，适用于需要高质量信号放大的通信系统，如Doherty架构中的载波和峰值放大器模块。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+150°C）使其适用于极端气候条件下的户外部署。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造需求。NXP为其提供详尽的应用参考设计、SPICE模型和热仿真数据，帮助工程师快速完成系统集成与优化。

应用

PFE500SA-28主要应用于需要高功率射频放大的各类系统中。典型用途包括地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2）、模拟电视广播发射机的末级功率放大单元，能够支持多频道大范围覆盖。在无线通信基础设施领域，它可用于4G LTE和5G NR基站的Doherty功率放大器设计，特别是在2.1 GHz频段附近的宏蜂窝基站中发挥关键作用。此外，该器件也广泛用于工业加热、等离子体生成、射频干燥和医疗射频治疗设备等非通信类高功率射频能量应用。
　　由于其高效率和高可靠性，PFE500SA-28常被选用于远程通信站、应急广播系统和军用通信平台中，这些场景对设备的持续运行能力和环境适应性要求极高。在科研领域，该器件也被用于粒子加速器、雷达测试系统和高能物理实验中的射频激励源构建。其标准化封装和成熟的配套设计资源，使系统制造商能够快速开发出符合国际电磁兼容和安全规范的产品。