时间：2025/8/9 12:09:09
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2SK3913-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频开关和功率放大应用。该器件采用了先进的工艺技术，具有优异的导通电阻和开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SMD（表面贴装）
引脚数：8
2SK3913-01MR具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。其先进的沟槽结构设计优化了导通和开关性能之间的平衡。
该MOSFET采用了高性能的封装技术，具有良好的热管理能力，可以在高功率工作条件下保持稳定运行。此外，它的栅极驱动电压范围宽广，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到各种设计中。
器件的开关特性非常出色，具有快速的上升和下降时间，从而降低了开关损耗，使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制电路。
此外，2SK3913-01MR还具有较高的耐久性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持长期稳定运行。
2SK3913-01MR广泛应用于各种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器、电池充电器以及工业控制系统。由于其高频开关能力和高电流处理能力，它也常用于功率放大器和高效率电源供应器的设计中。
SiR178DP-T1-GE3, IPB013N04NG4S, FDP160N30TM
