时间：2025/6/28 11:31:24
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PF38F5060M0Y3CE是一款高性能的场效应晶体管（FET），具体为P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种电源管理和负载切换应用。
此型号属于工业级或车规级器件，能够在严苛的工作环境下提供可靠的性能表现。它广泛用于直流电机驱动、负载开关、电池保护以及各类电子设备中的电源管理单元。
类型：P沟道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：118W
工作温度范围：-55°C to +175°C
栅极电荷(Qg)：45nC
反向恢复时间(trr)：95ns
PF38F5060M0Y3CE具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 高开关速度设计，适合高频操作场景。
3. 优秀的热稳定性和散热能力，确保长时间运行时的可靠性。
4. 支持大电流连续输出，满足高性能电源应用需求。
5. 宽泛的工作温度范围使其适应多种恶劣环境下的使用。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该芯片的主要应用场景包括：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流/直流转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备内的电机驱动电路。
4. 车载电子系统的负载控制与电池保护。
5. 各类便携式电子产品的电源管理模块。
6. 多通道负载切换和短路保护解决方案。
7. 高效节能型LED驱动电路的设计。
PF38F5060M1Y3CE, PF38F5060M2Y3CE
