时间：2025/9/4 2:43:39
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MTB75N05HD是一款由MagnTek（麦格米特）公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电流、高效率的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热性能。MTB75N05HD的封装形式为TO-220，适合用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统等应用场合。该MOSFET的工作电压范围广泛，能够承受较大的电流负载，同时具备较低的开关损耗和导通损耗，提高了整体系统的能效。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏-源电压（VDS）：55V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220
MTB75N05HD的主要特性包括其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。其导通电阻通常低于2.5毫欧，确保在高负载条件下依然能够保持稳定的性能。此外，该器件具有较高的耐压能力，最大漏-源电压为55V，适用于多种中高功率应用。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，优化了电流密度，减少了开关损耗，使得在高频应用中也能保持良好的性能。
MTB75N05HD的另一个显著特点是其优异的热稳定性与散热能力。由于其封装形式为TO-220，具有良好的散热效果，能够有效地将热量从芯片传导到外部环境，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。此外，该器件的工作温度范围较宽，可在-55°C至175°C之间稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
在应用方面，MTB75N05HD具备较强的过载能力和抗短路能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这一特性使其非常适合用于电机驱动、电池管理系统以及各种电源转换器等高可靠性要求的应用场景。此外，该MOSFET还具有良好的栅极驱动特性，能够快速响应控制信号，实现高效的开关操作。
MTB75N05HD因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器和开关电源模块中，能够有效提升系统的能量转换效率。在电机控制领域，MTB75N05HD可用于直流电机的驱动电路中，提供稳定的电流控制和高效的能量传输。此外，该MOSFET还广泛应用于电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及储能系统中，作为关键的功率开关元件。
除了传统的电源应用外，MTB75N05HD还适用于各种电池管理系统（BMS），用于保护电池组免受过流、短路和过温等故障的影响。其高耐压能力和低导通电阻使其成为电池保护电路中的理想选择。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也扮演着重要的角色，用于实现高效的能量转换和管理。
IPB075N05N3, STB75N05MH2
