时间：2025/8/1 22:33:36
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CS25N06C4是一款N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及电池管理系统等场景。CS25N06C4封装紧凑，具备良好的热性能，有助于在高功率密度设计中实现更高的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A（@25°C）
导通电阻(Rds(on))：60mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：62W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220AB
CS25N06C4具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的最小功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，漏源电压额定为60V，适合中高功率应用。栅极驱动电压范围宽广，支持标准逻辑电平控制，便于与各种驱动电路兼容。CS25N06C4还具备优异的热稳定性和抗过载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还方便安装和使用，适用于各种工业和消费类电子产品。
CS25N06C4广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化控制系统以及LED照明驱动电路。该器件的高可靠性和高效能特性使其成为设计工程师在电源管理领域的重要选择。
IRFZ44N, STP25N60M5, FDPF25N60WT
