时间：2025/7/16 15:02:00
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PF251P-BP是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其设计目的是提供低导通电阻和高电流处理能力，以满足高效能电力电子设备的需求。
PF251P-BP具有快速开关特性和良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定性能。同时，该器件具备反向恢复时间短的特点，非常适合高频应用环境。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：47A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：19nC
反向恢复时间：85ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强系统在异常情况下的可靠性。
4. 小型化封装设计，便于PCB布局优化。
5. 良好的热稳定性，适用于恶劣的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电动工具及家电产品中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源系统的功率转换部分。
IRF250N, FDP55N60E, SI4886DY
