时间：2025/12/26 11:14:21
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1N5820-T是一款常用的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛应用于中等功率的整流和开关电路中。该器件采用DO-201AD或类似封装，具有较低的正向导通压降和较快的反向恢复速度，因此在效率要求较高的电源转换系统中表现优异。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管由于其金属-半导体结结构，能够显著降低导通时的电压损耗，从而减少功耗并提升整体系统效率。1N5820-T的额定平均整流电流为3A，最大重复峰值反向电压为40V，适用于低压大电流的应用场景，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路等。该器件工作温度范围较宽，通常可在-65°C至+125°C之间稳定运行，具备良好的热稳定性和可靠性。此外，1N5820-T符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。由于其出色的电气性能和成本效益，1N5820-T在消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域得到了广泛应用。需要注意的是，在高反向电压或高温环境下使用时，应特别关注其漏电流增大的问题，并在PCB布局中做好散热设计以确保长期工作的稳定性。
类型：肖特基二极管
封装：DO-201AD
最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
最大直流阻断电压（VR）：40V
最大平均整流电流（IO）：3A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（单个半波）
最大正向电压降（VF）：0.525V @ 1A, 0.85V @ 3A
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 25V；5.0mA @ 125°C, 40V
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +125°C
反向恢复时间（trr）：典型值5ns
热阻结到环境（RθJA）：约50°C/W
1N5820-T的核心优势在于其低正向压降和快速开关响应能力。由于采用了肖特基势垒结构，即金属与N型半导体之间的接触，该二极管在导通状态下表现出比传统硅PN结二极管更低的电压降，典型值在1A电流下仅为0.525V左右，而在满载3A时也仅为0.85V。这一特性意味着在相同电流条件下，其导通损耗远低于普通整流二极管（如1N540x系列），从而有效提高电源系统的转换效率，并减少对散热装置的依赖。尤其在低压输出（如5V、3.3V甚至更低）的开关电源和DC-DC变换器中，这种低VF的优势更为明显。
其次，1N5820-T具备极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为5ns，这使其能够在高频开关环境中迅速关断，避免产生较大的反向恢复电荷和随之而来的开关损耗及电磁干扰（EMI）。因此，它非常适合用于高频整流场合，例如反激式、正激式或同步整流拓扑中的续流或输出整流二极管。尽管肖特基二极管本身不具备真正的“P-N结反向恢复”过程，但由于寄生电容和少数载流子效应的存在，仍存在轻微的开关延迟，但相对于普通整流管已大幅优化。
另外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在-65°C至+125°C的宽结温范围内正常工作，适用于多种严苛环境下的应用。同时，其高达50A的峰值浪涌电流能力使其能承受短暂的过载或启动冲击电流，增强了系统鲁棒性。不过需注意的是，肖特基二极管的反向漏电流随温度升高显著增加，在高温高电压并存的情况下可能导致功耗上升甚至热失控，因此在实际应用中应合理评估散热条件，并避免长时间工作于极限参数边缘。
1N5820-T主要应用于需要高效、低压整流的各种电源系统中。最常见的用途是作为开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在低电压大电流输出的AC-DC适配器、充电器和机顶盒电源中，利用其低正向压降特性可显著提升转换效率。此外，在DC-DC升压、降压或升降压转换器中，它常被用作续流二极管（flyback diode），用于释放电感储能，防止电压反冲损坏主开关器件。由于其快速响应能力，也能胜任高频逆变电路中的整流任务，例如在太阳能微逆变器或LED驱动电源中发挥关键作用。
在电池供电设备中，1N5820-T可用于实现电源极性反接保护，防止因误接电池而导致系统损坏。同时，由于其封装形式（DO-201AD）易于安装且具备一定功率处理能力，也被广泛用于各类工业控制板、嵌入式系统主板、网络通信设备以及汽车电子模块中，作为防倒灌或隔离二极管使用。在某些低成本同步整流替代方案中，虽然无法完全取代主动式MOSFET整流，但在非隔离式拓扑或轻负载条件下仍可提供可靠的单向导通功能。总体而言，1N5820-T凭借其性价比高、技术成熟、供货稳定等优点，成为许多中低功率电源设计中的首选整流元件之一。
1N5820
SB340
MBR340
SR340
SS34
M7
