时间：2025/12/28 16:11:44
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PF2007UDF8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 专为高电流、低电压应用场景设计，具有优异的导通性能和较低的导通损耗。该器件采用 DFN8 封装，具备较高的功率密度，适用于电池供电设备、电源管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
类型：N 沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：70A
导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ（典型值，Vgs = 10V）
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DFN8
PF2007UDF8 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其 DFN8 封装形式不仅提供了良好的热性能，还支持紧凑的 PCB 设计，非常适合空间受限的应用场景。
此外，该 MOSFET 具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。同时，该器件具有较强的过载和短路承受能力，可在恶劣环境中保持稳定运行。
PF2007UDF8 主要用于需要高效率和高电流能力的功率电子系统中。常见应用包括笔记本电脑和移动设备的电源管理系统、电动工具和无人机的电机驱动电路、电池保护电路、负载开关、同步整流器以及 DC-DC 降压/升压转换器等。
在服务器和通信设备的电源模块中，PF2007UDF8 可用于实现高效率的多相供电系统。由于其低导通电阻和快速开关特性，也适用于需要高动态响应的数字电源和同步整流电路。
此外，该器件还可用于工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统中的功率控制模块，例如车载充电器、LED 驱动器和电机控制器等。
STL70N3LLH5AG, IPD70N3LLH5-12, FDS6680, SiR178DP
