时间：2025/6/12 18:02:23
阅读：10
GA0805H473JXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高频 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等应用场景。
该芯片的主要特点是其卓越的热性能和可靠性，能够支持较高的电流负载，并在恶劣环境下保持稳定工作。
型号：GA0805H473JXABR31G
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
ID（持续漏极电流）：90A
Qg（栅极电荷）：42nC
fT（转换频率）：3.1MHz
VGS(th)（栅极开启电压）：2.2V
封装形式：TO-247
GA0805H473JXABR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
3. 优化的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss，进一步提升了开关速度。
4. 强大的过流能力，支持高达 90A 的持续电流，满足高功率需求。
5. 提供可靠的热保护功能，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接工艺兼容。
这些特性使得 GA0805H473JXABR31G 成为工业级电源转换和电机控制的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 高效 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
3. 电动工具、家用电器以及其他消费类电子产品的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理和驱动模块。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换组件。
GA0805H473JXABR31G 凭借其高效性和可靠性，在上述领域中表现出色。
GA0805H475KXABR31G, IRF840, FQP50N06L
