时间：2025/6/24 16:17:38
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PESDUC3FD3V3U 是一款超低电容 (Coff) 的双向 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，专为高速数据线和射频线路的静电放电 (ESD) 保护而设计。该器件具有出色的 ESD 防护能力，符合 IEC61000-4-2 国际标准，同时保持极低的负载电容以避免信号失真。其小型化的封装使其非常适合空间受限的应用环境。
PESDUC3FD3V3U 使用了先进的硅技术制造，确保在高数据速率应用中提供可靠的保护性能。
工作电压：±3.3V
峰值脉冲电流：±9A
箝位电压：±5.8V
响应时间：≤1ns
结电容：≤0.3pF
最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN1006-2
PESDUC3FD3V3U 具有以下显著特点：
1. 超低结电容，适合高频和高速数据传输线路的保护。
2. 双向保护功能，适用于交流信号或双极性线路。
3. 高度可靠的 ESD 防护能力，符合并超过 IEC61000-4-2 标准（接触放电 ±30kV 和空气放电 ±30kV）。
4. 极快的响应时间 (<1ns)，可以迅速抑制瞬态过压威胁。
5. 小型化封装 (DFN1006-2)，节省 PCB 空间。
6. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +150℃)，适应各种恶劣环境。
PESDUC3FD3V3U 广泛应用于需要高效 ESD 保护的领域，包括但不限于：
1. 高速接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt。
2. 射频前端保护，例如 LTE、WLAN 和蓝牙模块。
3. 工业通信系统中的数据总线保护。
4. 汽车电子中的传感器和控制单元保护。
5. 移动设备中的天线和射频电路保护。
6. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
PESD1CANB3VA, PESD1CANB3V3A, PESDUC2VD8BU
