您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805H153JXABC31G

GA0805H153JXABC31G 发布时间 时间:2025/5/29 21:25:56 查看 阅读:12

GA0805H153JXABC31G 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效能应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够显著提高电源转换效率并减小系统尺寸。
  GaN 器件以其低导通电阻和高开关速度著称,适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、无线充电模块以及其他需要快速切换和低损耗的场景。

参数

额定电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:20nC
  开关频率:最高可达 5MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:TO-252

特性

GA0805H153JXABC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  2. 高开关频率支持,使得磁性元件可以更小,从而降低整体系统体积与重量。
  3. 内置 ESD 保护功能以增强可靠性。
  4. 高效热管理能力,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 快速开关特性减少了开关损耗,提高了效率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. 高频 DC-DC 转换器。
  3. USB PD 充电器及快充设备。
  4. 汽车电子中的辅助电源模块。
  5. 无线充电发射端及接收端电路。
  6. 可再生能源系统的逆变器部分,例如太阳能微型逆变器。

替代型号

GA0805H153KXABC31G, GA0805H153LXABC31G

GA0805H153JXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-