PESDNC5D4V2U 是一款基于硅技术的低电容、高能效瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压威胁而设计。该器件采用超紧凑型封装,适合空间受限的应用场景。PESDNC5D4V2U 的额定工作电压为 4.2V,可提供双向保护,适用于 USB 2.0、UART、I2C 等高速数据线接口。
其低钳位电压和快速响应时间确保能够有效保护电路免受 ESD 脉冲损害,同时其低电容特性(典型值为 1.5pF)对信号完整性的影响较小。
工作电压:4.2V
峰值脉冲电流( IPP ):37A
击穿电压( VBR ):4.9V
最大箝位电压( VC ):12V
电容(典型值):1.5pF
响应时间:1ps
封装类型:DFN1006-2
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的负载电容(1.5pF 典型值),适合高速数据线路。
2. 快速响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能,符合 IEC61000-4-2 标准(接触放电 ±30kV,空气放电 ±30kV)。
4. 小尺寸封装(DFN1006-2),节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
6. 双向保护设计,支持正负极性瞬态事件。
7. 工作温度范围广(-55℃ 至 +150℃),适应多种环境条件。
PESDNC5D4V2U 广泛应用于需要高速数据传输保护的场景,例如:
1. USB 2.0 接口保护。
2. UART 和 I2C 数据线保护。
3. 移动设备和便携式电子产品的端口保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
5. 工业自动化设备中的通信接口保护。
6. 高速网络接口(如以太网)的瞬态电压保护。
PESD5V0UC_1BT,
PESD5V0UT1B,
PESD5V0UC2