时间：2025/6/25 22:27:19
阅读：25
PESDNC5D4V2U 是一款基于硅技术的低电容、高能效瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压威胁而设计。该器件采用超紧凑型封装，适合空间受限的应用场景。PESDNC5D4V2U 的额定工作电压为 4.2V，可提供双向保护，适用于 USB 2.0、UART、I2C 等高速数据线接口。
其低钳位电压和快速响应时间确保能够有效保护电路免受 ESD 脉冲损害，同时其低电容特性（典型值为 1.5pF）对信号完整性的影响较小。
工作电压：4.2V
峰值脉冲电流（ IPP ）：37A
击穿电压（ VBR ）：4.9V
最大箝位电压（ VC ）：12V
电容（典型值）：1.5pF
响应时间：1ps
封装类型：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的负载电容（1.5pF 典型值），适合高速数据线路。
2. 快速响应时间（1ps），能够迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能，符合 IEC61000-4-2 标准（接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV）。
4. 小尺寸封装（DFN1006-2），节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 双向保护设计，支持正负极性瞬态事件。
7. 工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），适应多种环境条件。
PESDNC5D4V2U 广泛应用于需要高速数据传输保护的场景，例如：
1. USB 2.0 接口保护。
2. UART 和 I2C 数据线保护。
3. 移动设备和便携式电子产品的端口保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
5. 工业自动化设备中的通信接口保护。
6. 高速网络接口（如以太网）的瞬态电压保护。
PESD5V0UC_1BT,
PESD5V0UT1B,
PESD5V0UC2
