时间：2025/8/21 17:01:57
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DME3927-101 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和负载开关应用。这款器件采用先进的沟槽技术，能够在低电压应用中提供高效率和优异的热性能。DME3927-101 封装在 SOT26 封装中，适用于空间受限的设计。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-6.5A
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS = -4.5V，30mΩ @ VGS = -2.5V
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26
DME3927-101 具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件在 -4.5V 和 -2.5V 栅极电压下均能保持较低的导通电阻，支持在低电压驱动条件下使用，适合现代低功耗系统设计。
其次，DME3927-101 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提高了器件的热稳定性和可靠性，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其 SOT26 小型封装形式适用于空间受限的便携式设备和高密度 PCB 设计。
此外，该 MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，有助于在突发负载或电压瞬态条件下保护电路。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于多种工业和消费类应用场景。
DME3927-101 常用于各类电源管理系统，包括电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及各类便携式电子产品。其优异的导通性能和小型封装使其特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电源适配器和工业控制系统中的电源管理模块。
Si3442DV-T1-GE3, AO4407A, FDC6330L, TPS27081A
