1N5260D 是一款常见的齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压调节和参考电压的电路中。该器件采用DO-35封装,具备良好的稳定性和可靠性。齐纳二极管通常工作在反向击穿区,能够提供一个稳定的参考电压,适用于各种低功耗电子设备。
类型:齐纳二极管
封装类型:DO-35
齐纳电压:10V
最大齐纳电流:200mA
最大功率耗散:500mW
工作温度范围:-65°C 至 150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
1N5260D 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度特性,能够在广泛的温度范围内保持稳定的参考电压。其DO-35封装设计使其易于安装在各种电路板上,适用于多种应用场景。
该器件的最大齐纳电流为200mA,最大功率耗散为500mW,能够在低功耗应用中提供可靠的电压调节功能。其工作温度范围为-65°C至150°C,适合在极端环境下使用。此外,1N5260D的存储温度范围同样为-65°C至150°C,确保了器件在不同存储条件下的稳定性。
齐纳二极管在反向击穿区域工作时,能够提供一个稳定的电压参考,适用于电源稳压、电压参考、过压保护等多种电路设计。由于其稳定性和可靠性,1N5260D被广泛应用于模拟和数字电路中。
1N5260D 主要应用于需要稳定参考电压的电路中,如电源稳压器、电压参考源、过压保护电路等。它常用于模拟和数字电路中的电压调节,确保电路在不同负载条件下保持稳定的电压输出。此外,该器件还可用于信号处理、测量设备、通信设备以及工业控制系统中。
1N4740A, 1N5260B