时间：2025/9/1 18:39:56
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HY5DU561622CT-4DR是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，通常用于需要高速数据存储和访问的应用中。其设计目标是提供高性能和低功耗的存储解决方案，适用于各种嵌入式系统和计算设备。
容量：512Mb（64M x 8）
组织结构：x16
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最大工作频率为166MHz
数据速率：166MHz时钟频率下，数据传输速率为166MHz
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
访问时间：5.4ns
HY5DU561622CT-4DR是一款高性能的DRAM芯片，具备高速数据存取能力。其TSOP封装形式使其适用于空间受限的设计。芯片的工作电压范围较宽，为2.3V至3.6V，这使其适用于多种电源环境。此外，该芯片支持工业级温度范围，确保其在各种环境条件下都能稳定工作。
该芯片的166MHz时钟频率和16位数据宽度使其能够提供较高的数据带宽，满足对存储性能有较高要求的应用场景。64ms的刷新周期保证了数据的长期存储稳定性。此外，该芯片的低功耗设计有助于延长设备的电池寿命，适用于需要节能设计的便携式设备。
在可靠性和耐用性方面，HY5DU561622CT-4DR具有较高的抗干扰能力和较长的使用寿命，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
HY5DU561622CT-4DR广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品中。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用于图形处理、数据缓冲、高速缓存等场景。此外，该芯片也常用于计算机外设设备、网络设备和多媒体设备中。
IS42S16400F-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1041CV33-10ZSXI、K4S641632C-TC75
