时间：2025/8/2 21:39:06
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TA120PW是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关等多种高功率应用场合。TA120PW采用先进的沟槽式栅极技术，提高了器件的开关速度和效率，同时降低了导通损耗。其封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热，适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：120V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：约2.5mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散：200W
TA120PW是一款高性能的N沟道MOSFET，具备极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体效率。其漏极-源极电压（Vds）为120V，能够满足多种高压应用场景的需求。该器件支持高达120A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于需要高功率输出的系统设计。
此外，TA120PW的栅极-源极电压为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路。其采用的沟槽式栅极结构提高了开关速度，降低了开关损耗，从而进一步提高了系统的整体效率。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻的综合优势，TA120PW在电源转换、电机控制和工业自动化等领域得到了广泛应用。
TA120PW常用于各种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动电路、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换应用的理想选择。
TK120E12DW, IRF120N12D, STP120N12F7AG}
