类型：NPN晶体管
　　封装形式：TO-18
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：典型值50-250（根据工作电流和型号后缀不同）

2N5017晶体管具有良好的高频响应和线性放大特性，适用于射频信号的放大和处理。其高过渡频率（fT）达到100MHz，使得它在高频电路中表现出色。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，能够满足不同放大需求。TO-18金属封装不仅提供了良好的散热性能，还具备一定的电磁屏蔽能力，适合对稳定性要求较高的应用环境。此外，2N5017的可靠性和耐用性在工业和通信设备中得到了广泛认可。
　　在电气特性方面，2N5017的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V，使其能够在中等功率应用中稳定运行。最大功耗为300mW，支持在较高温度环境下工作。工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于大多数工业和部分军用环境。其过渡频率（fT）为100MHz，意味着它在高频电路中能够保持较高的增益带宽积，适用于射频放大和振荡电路。
　　该晶体管的电流增益（hFE）会根据工作电流和型号后缀的不同而有所变化，典型值范围为50至250。这意味着用户可以根据具体电路需求选择合适的增益配置。此外，2N5017的噪声系数较低，适合用于前级放大器和信号增强电路。

2N5017常用于射频放大器、振荡器、混频器等高频电路中，适用于通信设备、无线模块、测试仪器和广播设备。它也广泛用于音频放大电路、信号处理电路和电子调谐器中。此外，该晶体管还可用于工业控制系统的高频信号处理和放大。

BC547, 2N3904, BF199, BF200