时间：2025/5/24 12:52:03
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PESDNC563T5VU 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效静电防护（ESD）二极管阵列芯片。该器件设计用于保护高速数据线和信号线路免受静电放电、浪涌电流和其他瞬态电压威胁的影响。其超低电容特性使其非常适合于高频应用，例如USB接口、HDMI、以太网等高速通信系统。
这款芯片采用了SOD-882微型封装，体积小巧，便于在高密度电路板上布局。同时，它具备出色的响应速度和钳位性能，确保敏感电子设备能够可靠运行。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±15A
最大箝位电压：7.6V
动态电阻：0.4Ω
电容：0.3pF
响应时间：≤1ps
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PESDNC563T5VU 具有以下显著特点：
1. 超低电容（仅0.3pF），对高速数据传输影响极小。
2. 极快的响应时间（≤1ps），可以迅速抑制瞬态电压波动。
3. 高可靠性，在恶劣环境下仍能保持稳定工作。
4. 微型 SOD-882 封装，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
6. 能够承受高达 ±15A 的峰值脉冲电流，提供强大的过压保护能力。
PESDNC563T5VU 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场景，包括但不限于：
1. USB 3.0/3.1 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
3. 以太网 PHY 模块保护。
4. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的 I/O 端口保护。
5. 工业自动化设备中的信号线保护。
6. 汽车电子系统的高速通信链路保护。
PESD5CAN-T, PESD5V0XSC, SM712
