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HM62V256LT-8 发布时间 时间:2025/9/7 1:23:51 查看 阅读:4

HM62V256LT-8 是由 Hitachi(现为 Renesas Electronics)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8)。该芯片采用低压CMOS工艺制造,适用于需要高速访问和低功耗的应用场景。HM62V256LT-8采用TSOP封装形式,广泛用于通信设备、工业控制、嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K bit(32K x 8)
  电源电压:3.3V
  访问时间:8ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:最低可至2.0V
  输入/输出电平:CMOS兼容
  封装引脚数:52
  封装尺寸:标准TSOP尺寸

特性

HM62V256LT-8具备高速访问能力,访问时间仅为8ns,适合对性能要求较高的系统应用。
  其低压工作特性(3.3V电源)有助于降低系统功耗,提高能效。
  该芯片具有宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适合在恶劣工业环境中稳定运行。
  CMOS兼容的输入/输出电平使其易于与多种主控芯片接口连接。
  在电源电压降低至2.0V时仍能保持数据不丢失,适用于断电保护或低电压操作场景。
  采用TSOP封装,体积小、重量轻,便于在高密度PCB设计中使用。
  内置地址缓冲器和数据I/O缓冲器,简化外部电路设计。
  具备自动数据保持功能,在待机模式下功耗极低,延长电池供电设备的使用寿命。

应用

HM62V256LT-8广泛应用于需要高速缓存和低功耗的电子系统中,如网络交换机、路由器、工业控制器、数据采集设备、嵌入式系统、手持设备等。
  在通信设备中,该芯片可用于临时存储数据包或缓存控制信息,提高系统响应速度。
  在工业控制系统中,它可用于保存临时运行参数或缓存传感器采集的数据。
  由于其低功耗特性,也常用于电池供电的便携式设备中作为临时存储单元。
  此外,该芯片也适用于需要高速存储器访问的医疗设备、测试仪器和自动化控制系统。

替代型号

IS62WV2568BLL-8TF1I, CY62148E, IDT71V416SA, A62256

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