时间：2025/9/7 18:49:33
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HM538253BJ-8是一款由Hynix（现代电子）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款DRAM芯片以其高性能和稳定性被广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要大容量内存支持的场景中表现优异。该芯片的封装形式为SOJ（Small Outline J-Lead），非常适合高密度的电路板设计。
容量：256K x 16
电压：5V
封装类型：SOJ
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：8ns
数据保持时间：16ms
数据输入/输出方式：并行
HM538253BJ-8具有较高的存储密度，适合需要大容量内存的应用。该芯片的工作电压为5V，确保了稳定的数据读写性能。其高速访问时间为8ns，能够满足对数据处理速度有较高要求的应用场景。此外，HM538253BJ-8的封装形式为SOJ，体积小，非常适合用于空间受限的电路板设计。
这款DRAM芯片还具备较长的数据保持时间（16ms），确保在断电情况下数据能够得到较长时间的保存。其并行输入/输出接口设计使得数据传输更加高效可靠。HM538253BJ-8的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
HM538253BJ-8广泛应用于工业控制设备、通信设备、消费电子产品、计算机外设以及汽车电子系统中。这款芯片特别适合需要高速内存支持的嵌入式系统和数据处理设备。其高稳定性和宽温度范围也使其成为工业自动化和汽车电子领域的理想选择。
IS61LV25616-8T, CY62148EVLL-45ZS, IDT71V416SA8PFG
