YSX530SC是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
YSX530SC采用TO-220封装形式,这种封装方式提供了良好的散热性能,适用于中高功率的应用场合。同时,其内置的ESD保护电路增强了芯片的抗静电能力,从而提高了产品的可靠性和稳定性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.8mΩ
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.8mΩ,可显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能,具备较短的开启和关断时间,适用于高频应用。
3. 内置ESD保护功能,提升了器件在实际应用中的鲁棒性。
4. 较高的漏极电流承载能力,支持高达30A的连续电流。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃至175℃),适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. TO-220标准封装,便于安装与散热设计。
1. 开关电源及适配器设计。
2. DC-DC转换器模块。
3. 电机驱动控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. 其他需要高效功率切换和处理能力的场景。
IRF540N
STP30NF06L
FDP5570N