RN141STE61 时间：2025/11/8 3:11:30 阅读：6

RN141STE61是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。该器件采用紧凑型表面贴装封装（如SOT-23或类似小型化封装），适用于对空间要求严苛的便携式电子设备。RN141STE61以其低导通电阻（RDS(on)）、快速开关响应和高可靠性著称，在低电压控制逻辑接口下能够高效地实现功率切换功能。该MOSFET设计用于在30V的漏源击穿电压下工作，适合12V及以下的电源系统应用。其内部结构优化了热性能与电气性能之间的平衡，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，RN141STE61符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其优异的性价比和稳定的供货能力，该型号被广泛用于消费类电子、工业控制模块、通信设备和电池供电系统中。

参数

型号：RN141STE61
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.8A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.5A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：75mΩ @ VGS=10V, ID=1.8A
　　导通电阻(RDS(on))：90mθ @ VGS=4.5V, ID=1.8A
　　栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：110pF
　　反向传输电容(Crss)：40pF
　　开启延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　总栅极电荷(Qg)：6nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：300mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

RN141STE61具备多项关键特性，使其成为中小功率开关应用中的理想选择。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效并减少发热，这对电池供电设备尤为重要。该MOSFET在VGS=10V时的RDS(on)仅为75mΩ，在4.5V驱动电压下也能保持90mΩ的低阻水平，支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3V、5V微控制器输出，无需额外电平转换电路。
　　其次，器件具有良好的热稳定性与过载承受能力。其最大结温可达150°C，并配备高效的散热路径设计，即使在密闭或高温环境中也能维持可靠运行。同时，较低的栅极电荷（Qg=6nC）和输入电容（Ciss=330pF）意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于提升开关频率并降低驱动IC的负担，特别适用于高频PWM控制场景。
　　再者，RN141STE61具备出色的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了系统鲁棒性。其反向传输电容（Crss）较小，有效抑制米勒效应引起的误触发，提高开关过程的可控性与安全性。此外，该器件的阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），避免因噪声干扰导致意外导通，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　最后，采用SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，有利于大规模制造。综合来看，RN141STE61是一款高性能、高集成度且成本效益优良的功率MOSFET，适用于多种现代电子系统的功率控制需求。

应用

RN141STE61广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电池供电控制回路。在这些设备中，它常被用于切断非工作模块的电源以降低待机功耗，实现精细化电源管理。
　　此外，该器件也常见于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，作为低边开关使用，利用其低RDS(on)特性减少传导损耗，提高转换效率。在电机驱动领域，RN141STE61可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，控制电流方向与通断状态，实现精确的速度与位置控制。
　　工业控制系统中，该MOSFET可用于传感器模块、PLC输入/输出扩展板、继电器驱动缓冲级等场合，作为信号放大或隔离元件。通信设备如路由器、网络交换机中，也常用其进行局部电源域的开启与关闭控制。
　　另外，由于其良好的开关特性和温度稳定性，RN141STE61还可用于LED驱动电路中，特别是在需要调光功能的应用中，通过PWM方式调节亮度。总之，凡是在低压、小电流条件下需要实现快速、可靠开关控制的场合，RN141STE61都是一种极具竞争力的选择。