时间：2025/6/26 22:24:46
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PESDNC2FD18VB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能 TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他瞬态过电压事件的影响而设计。它具有超低电容特性，非常适合高速数据线和射频应用。
该器件采用 SOD-323 封装形式，提供卓越的鲁棒性和紧凑尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
工作电压：18V
峰值脉冲功率：600W（典型值，@tp=10/1000μs）
反向 standoff 电压：18V
最大反向漏电流：1μA（@VR=18V）
钳位电压：27.9V（典型值，@IPP=4.4A）
结电容：0.5pF（典型值）
响应时间：小于 1ps
封装形式：SOD-323
PESDNC2FD18VB 的主要特性包括：
1. 极低的结电容（0.5pF 典型值），使其非常适用于高频和高速电路。
2. 快速响应时间（小于 1ps），能够迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高浪涌能力（600W 峰值脉冲功率），确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 紧凑的 SOD-323 封装，节省 PCB 空间并简化布局。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
6. 工作温度范围宽广：-55°C 至 +150°C。
7. 符合 RoHS 和 REACH 环保规范，支持无铅焊接工艺。
这款 TVS 二极管广泛应用于需要高可靠性和高性能保护的场景，具体应用领域包括：
1. 汽车电子系统中的数据线和信号线保护。
2. 工业自动化设备中的接口保护。
3. 通信设备中的射频和高速数据线路保护。
4. 消费类电子产品中的 USB、HDMI 和其他高速接口防护。
5. 医疗设备中的关键信号链保护。
6. 物联网 (IoT) 设备中的传感器和通信模块防护。
PESD2CAN18VB, PESD2C18BS, PESD1CAN18
