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IR2125STRPBF 发布时间 时间:2025/6/27 5:12:30 查看 阅读:2

IR2125STRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压半桥驱动器芯片。该芯片集成了高低侧驱动器,适用于需要高效控制功率MOSFET或IGBT的应用场景。它具有自举电源功能,可以轻松驱动高侧开关,并且具备欠压锁定保护功能,确保系统运行的安全性和稳定性。
  该芯片广泛应用于电机控制、开关电源、逆变器以及各种工业电子设备中。

参数

供电电压VDD:10V~20V
  最大输出电流:300mA
  工作温度范围:-40℃~125℃
  逻辑输入兼容标准CMOS/TTL
  高侧浮动电源能力:600V
  传播延迟时间:85ns(典型值)
  封装形式:SOIC-8

特性

IR2125STRPBF 具有以下主要特性:
  1. 内置电平转换电路,支持高侧和低侧驱动,能够适应多种拓扑结构。
  2. 自举二极管集成在芯片内部,简化了外部元件设计。
  3. 提供短路保护和热关断功能,增强了系统的可靠性。
  4. 支持快速开关操作,减少了开关损耗。
  5. 高共模抗干扰能力,适合嘈杂的电气环境。
  6. 宽泛的工作电压范围和温度范围,适用于工业级应用需求。

应用

IR2125STRPBF 芯片可应用于以下领域:
  1. 电机驱动控制器,如步进电机、无刷直流电机等。
  2. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率MOSFET或IGBT驱动。
  3. 工业逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  4. LED驱动电路中的高效功率开关控制。
  5. 各类家电和工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IR2126STRPBF, IR2110STRPBF

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IR2125STRPBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间170ns
  • 电流 - 峰1.6A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)500V
  • 电源电压12 V ~ 18 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC
  • 包装带卷 (TR)