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AO7412 发布时间 时间:2025/8/2 7:56:22 查看 阅读:26

AO7412是一款由Alpha & Omega Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统等应用。AO7412采用SOT-23封装,具有小尺寸和轻量化的优点,适合便携式电子设备和空间受限的设计。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-4.1A(在VGS= -4.5V时)
  导通电阻(RDS(on)):32mΩ(典型值,VGS=-4.5V)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-23

特性

AO7412具有多个显著的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。其次,该器件支持较高的连续漏极电流,适合中高功率应用。AO7412的栅极驱动电压范围较宽,支持-4.5V至-12V的栅源电压,便于与多种控制电路兼容。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下稳定工作。
  AO7412的SOT-23封装设计使其体积小巧,适合高密度PCB布局。该封装还具有良好的散热性能,能够在有限的空间内有效地散发热量。器件的高可靠性和长寿命使其在工业和消费类电子产品中得到广泛应用。

应用

AO7412广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电和保护电路、负载开关以及马达控制电路等。在便携式设备中,AO7412可用于高效的电池供电系统,优化能量利用并延长电池寿命。在工业控制领域,该MOSFET可用于开关电源、电机驱动器和传感器模块等关键部件。此外,AO7412还可用于LED驱动电路和电压调节模块,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。

替代型号

Si2301DS, FDN335P, IRML2502

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AO7412参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 15V
  • 功率 - 最大625mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1090-6