PESDHC3D3V3U 是一款由 NXP(恩智浦)生产的瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列,专为高速信号线提供静电放电(ESD)保护而设计。它具有低电容特性,非常适合用于高速数据接口,如 USB、HDMI 和以太网等。该器件能够有效抑制因 ESD 和其他瞬态电压引起的损害,确保电子设备的稳定性和可靠性。
该芯片采用超小封装(如 DFN 封装),有助于节省 PCB 空间,同时具备出色的响应速度和较低的箝位电压,能够在发生过电压事件时迅速保护下游电路。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±12A
最大箝位电压:15V
电容:0.4pF
响应时间:<1ns
封装形式:DFN1006-2
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
PESDHC3D3V3U 具有以下主要特性:
1. 低电容设计(仅 0.4pF),适合高速数据线路。
2. 快速响应时间(小于 1ns),可迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的 ESD 保护性能,符合 IEC 61000-4-2 标准(接触放电 ±15kV,空气放电 ±8kV)。
4. 小型化封装,易于集成到空间受限的设计中。
5. 工作电压精准适配 3.3V 系统应用。
6. 提供双向保护功能,适用于差分信号线。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
PESDHC3D3V3U 广泛应用于需要 ESD 保护的各类电子设备中,具体包括:
1. 高速数据接口保护,例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Ethernet 等。
2. 移动设备中的射频信号保护,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
3. 汽车电子系统中的信号线路保护,例如 CAN 总线和 LIN 总线。
4. 工业自动化设备中的通信接口保护。
5. 医疗设备中的敏感信号保护。
其高性能和小型化特点使其成为现代电子设备的理想选择。
PESD3V3HC2,PESD3V3UA2