IPB65R050CFD7AATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件属于 CoolMOS 系列,适用于高频开关应用和高效能转换场景。其设计目标是降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统效率。
这款 MOSFET 的主要特点包括低 RDS(on)、高雪崩能力以及快速开关速度,非常适合用于硬开关和软开关拓扑,如 PFC(功率因数校正)、DC-DC 转换器等。
最大漏源电压:650V
持续漏极电流:8.4A
导通电阻(典型值):50mΩ
栅极电荷(典型值):29nC
反向恢复时间:32ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
IPB65R050CFD7AATMA1 提供了出色的效能表现,具有以下关键特性:
1. 低导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,能够显著降低开关损耗。
3. 高效散热设计,通过 TOLL 封装优化了热性能。
4. 出色的抗雪崩能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
5. 适合高频应用,可广泛应用于各种工业电源和消费类电子产品中。
此外,该器件采用了英飞凌先进的超级结技术,进一步提升了其性能和可靠性。
IPB65R050CFD7AATMA1 广泛应用于需要高效功率转换的场合,具体包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路。
2. 工业电机驱动和变频器。
3. 服务器及通信电源模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的 DC-DC 转换部分。
5. 电动车充电设备和车载充电器。
由于其出色的性能指标和可靠性,这款 MOSFET 成为许多高性能电源设计的理想选择。
IPW65R049CFD7ATMA1, IPP60R099PFD75ATMA1