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IPB65R050CFD7AATMA1 发布时间 时间:2025/7/8 11:19:08 查看 阅读:14

IPB65R050CFD7AATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件属于 CoolMOS 系列,适用于高频开关应用和高效能转换场景。其设计目标是降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统效率。
  这款 MOSFET 的主要特点包括低 RDS(on)、高雪崩能力以及快速开关速度,非常适合用于硬开关和软开关拓扑,如 PFC(功率因数校正)、DC-DC 转换器等。

参数

最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:8.4A
  导通电阻(典型值):50mΩ
  栅极电荷(典型值):29nC
  反向恢复时间:32ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPB65R050CFD7AATMA1 提供了出色的效能表现,具有以下关键特性:
  1. 低导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,能够显著降低开关损耗。
  3. 高效散热设计,通过 TOLL 封装优化了热性能。
  4. 出色的抗雪崩能力,确保在异常条件下仍能稳定运行。
  5. 适合高频应用,可广泛应用于各种工业电源和消费类电子产品中。
  此外,该器件采用了英飞凌先进的超级结技术,进一步提升了其性能和可靠性。

应用

IPB65R050CFD7AATMA1 广泛应用于需要高效功率转换的场合,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路。
  2. 工业电机驱动和变频器。
  3. 服务器及通信电源模块。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的 DC-DC 转换部分。
  5. 电动车充电设备和车载充电器。
  由于其出色的性能指标和可靠性,这款 MOSFET 成为许多高性能电源设计的理想选择。

替代型号

IPW65R049CFD7ATMA1, IPP60R099PFD75ATMA1

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IPB65R050CFD7AATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥102.95000剪切带(CT)1,000 : ¥65.20009卷带(TR)
  • 系列CoolMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 24.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.24mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)102 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4975 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)227W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB