时间：2025/8/2 3:18:20
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BRF2A16G 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其封装形式为 TSMT6（热增强型 TSSOP），适合高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：16A
最大漏极-源极电压 (Vds)：200V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：0.16Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TSMT6（热增强型 TSSOP）
BRF2A16G 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中具有较低的传导损耗，提升系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅极结构，提供了较高的开关速度和良好的热稳定性，适用于高频开关应用。
此外，BRF2A16G 的封装设计具有优异的散热性能，能够有效将热量从芯片传导至 PCB，从而延长器件的使用寿命。其较高的耐压能力（200V）也使其适用于多种高压电源转换场景。
该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。此外，±20V 的栅极电压耐受能力使得该器件可与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
BRF2A16G 常用于多种电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及光伏逆变器等应用。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。
此外，该 MOSFET 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-AC 逆变器以及电机驱动电路。在通信设备中，它常用于服务器电源和电信电源模块，以提高整体能效和系统稳定性。
由于其良好的热性能和紧凑的封装设计，BRF2A16G 也广泛用于空间受限的设计中，如便携式电子设备的充电管理电路和高密度功率模块。
SiR178DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF1404ZPBF
