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BRF2A16G 发布时间 时间:2025/8/2 3:18:20 查看 阅读:41

BRF2A16G 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了能效。其封装形式为 TSMT6(热增强型 TSSOP),适合高密度 PCB 设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流 (Id):16A
  最大漏极-源极电压 (Vds):200V
  最大栅极-源极电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):0.16Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:TSMT6(热增强型 TSSOP)

特性

BRF2A16G 具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流应用中具有较低的传导损耗,提升系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅极结构,提供了较高的开关速度和良好的热稳定性,适用于高频开关应用。
  此外,BRF2A16G 的封装设计具有优异的散热性能,能够有效将热量从芯片传导至 PCB,从而延长器件的使用寿命。其较高的耐压能力(200V)也使其适用于多种高压电源转换场景。
  该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行,增强了系统的可靠性。此外,±20V 的栅极电压耐受能力使得该器件可与多种驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。

应用

BRF2A16G 常用于多种电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业自动化设备以及光伏逆变器等应用。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。
  此外,该 MOSFET 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、DC-AC 逆变器以及电机驱动电路。在通信设备中,它常用于服务器电源和电信电源模块,以提高整体能效和系统稳定性。
  由于其良好的热性能和紧凑的封装设计,BRF2A16G 也广泛用于空间受限的设计中,如便携式电子设备的充电管理电路和高密度功率模块。

替代型号

SiR178DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF1404ZPBF

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