时间：2025/7/7 10:24:02
阅读：41
PESDHC2FD6V3UMF 是一款基于硅技术的高性能 TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，专为高速信号线提供静电放电 (ESD) 保护而设计。该器件能够有效地抑制由 ESD 和其他瞬态事件引起的过电压脉冲，从而保护敏感的电子设备。
其采用双向配置，适用于差分信号线路，并具有超低电容特性，确保对高速数据传输的影响最小化。PESDHC2FD6V3UMF 广泛应用于 USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口中。
工作电压：±6V
峰值脉冲电流：±15A（8/20μs 波形）
箝位电压：≤12.7V
响应时间：≤1ps
结电容：≤0.8pF
反向漏电流：≤1μA（在最大工作电压下）
封装形式：DFN1006-2 (UMF)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 超低结电容设计，适合高速数据线路应用。
2. 双向保护结构，支持差分信号传输。
3. 极快的响应速度，能有效抑制瞬态过电压。
4. 高度可靠的 ESD 保护性能，符合 IEC61000-4-2 标准（接触放电 ±15kV，空气放电 ±15kV）。
5. 小型化封装，便于在紧凑空间内使用。
6. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
PESDHC2FD6V3UMF 主要用于需要高可靠性和快速响应的高速接口保护场景，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品中的 USB 2.0/3.0 接口保护。
2. 高速视频接口如 HDMI、DisplayPort 的信号线保护。
3. 产品的 ESD 防护。
4. 工业控制设备中的高速通信端口防护。
5. 汽车电子系统中 CAN/LIN 总线及其他敏感信号线路的保护。
PESD2CANFD6V3UMF, PESDHC2FD6V3DSM
