时间：2025/5/22 10:08:04
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SI2302CDS是一款来自Vishay的N沟道增强型MOSFET，采用小型化的DFN1006-2封装（尺寸为1mm x 0.6mm）。该器件设计用于低电压、低导通电阻的应用场景，具有非常小的外形和出色的电气性能。这种MOSFET通常被应用于便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等。
最大漏源电压：6V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：2.8nC
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：DFN1006-2
SI2302CDS具有超低的导通电阻，能够显著减少功率损耗并提升效率。
其小型化的封装非常适合空间受限的设计，并且具备优良的热稳定性。
此外，该器件支持快速开关速度，有助于降低开关损耗。
MOSFET采用了湿敏等级（MSL）1级的封装技术，可以简化制造工艺并提高可靠性。
由于其低栅极电荷和高效率，它非常适合高频开关应用，例如同步整流和负载切换。
该芯片广泛应用于各种消费类电子产品中，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
主要应用领域涵盖负载开关、电池管理、电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动控制。
它的紧凑外形和高效性能使其成为现代便携式设备的理想选择。
SI2301CDS, SI2303CDS
