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SI2302CDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/22 10:08:04 查看 阅读:18

SI2302CDS是一款来自Vishay的N沟道增强型MOSFET,采用小型化的DFN1006-2封装(尺寸为1mm x 0.6mm)。该器件设计用于低电压、低导通电阻的应用场景,具有非常小的外形和出色的电气性能。这种MOSFET通常被应用于便携式设备中的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等。

参数

最大漏源电压:6V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:2.8nC
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装类型:DFN1006-2

特性

SI2302CDS具有超低的导通电阻,能够显著减少功率损耗并提升效率。
  其小型化的封装非常适合空间受限的设计,并且具备优良的热稳定性。
  此外,该器件支持快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  MOSFET采用了湿敏等级(MSL)1级的封装技术,可以简化制造工艺并提高可靠性。
  由于其低栅极电荷和高效率,它非常适合高频开关应用,例如同步整流和负载切换。

应用

该芯片广泛应用于各种消费类电子产品中,包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
  主要应用领域涵盖负载开关、电池管理、电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动控制。
  它的紧凑外形和高效性能使其成为现代便携式设备的理想选择。

替代型号

SI2301CDS, SI2303CDS

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SI2302CDS-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)850mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大710mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2302CDS-T1-GE3TR