时间：2025/6/26 22:22:35
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PESDHC2FD2VB 是一款基于硅技术的高性能静电放电（ESD）保护二极管阵列，主要用于高速数据线和信号线的瞬态电压抑制。该器件具有超低电容特性，非常适合用于高速接口如 USB、HDMI、DisplayPort 等的应用场景，能够在不影响信号完整性的前提下提供可靠的ESD防护。
此器件采用了先进的工艺设计，能够满足 IEC 61000-4-2 国际标准中对于 ESD 防护的要求，同时具备较低的钳位电压和快速响应时间，从而有效保护敏感的下游电子元器件免受过压威胁。
工作电压：±5V
最大箝位电压：8V
动态电阻：≤1Ω
电容：0.5pF
响应时间：≤1ns
峰值脉冲电流：±20A
封装类型：DFN1006-2
1. 超低负载电容（0.5pF），对高速信号传输的影响极小。
2. 快速响应时间（≤1ns），可迅速抑制瞬态过电压。
3. 具备高浪涌承受能力，峰值脉冲电流可达 ±20A。
4. 符合 IEC 61000-4-2 标准，接触放电 ±8kV 和空气放电 ±15kV 的要求。
5. 小型化封装（DFN1006-2），适合空间受限的设计。
6. 单向极性设计，便于灵活应用在各种电路中。
7. 可靠性高，适用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
PESDHC2FD2VB 广泛应用于需要高速信号传输并且对ESD敏感的场合，例如：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口的保护。
3. 移动设备中的射频（RF）前端保护。
4. 工业自动化系统中的通信总线保护。
5. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
6. 无线模块（如蓝牙、Wi-Fi）的天线端口保护。
其优越的性能使其成为现代电子产品中不可或缺的保护元件之一。
PESD1CANB,PESD1CANHTC,PESD1HCTC2BA
