时间：2025/12/1 16:22:48
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HHM2602是一款由Hefei Hefei Microwave Technology Co., Ltd.（合肥微波技术有限公司）推出的微波功率放大器芯片，主要应用于无线通信系统中的射频前端模块。该器件基于砷化镓（GaAs）或氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计，具备高增益、高效率和良好的线性度特性，适用于C波段及相近频率范围的微波通信场景。HHM2602广泛用于卫星通信、点对点微波传输、雷达系统以及5G基站等高性能射频系统中。其封装形式通常为陶瓷金属封装或表面贴装型，以满足高频信号传输对寄生参数的严格控制要求，并具备良好的散热性能以支持持续高功率输出。
工作频率：7.9 - 8.4 GHz
增益：≥ 38 dB
输出功率（P3dB）：≥ 10 W (40 dBm)
电源电压：+28 V
静态工作电流：≤ 200 mA
输入驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
输出驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
谐波抑制：≥ 40 dBc
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：陶瓷金属法兰封装
HHM2602作为一款高性能微波功率放大器芯片，其核心优势在于在C波段范围内实现了极高的功率增益与输出能力。该芯片采用先进的GaAs或GaN半导体工艺制造，确保了在高频条件下依然保持优异的载流子迁移特性和热稳定性，从而显著提升了器件的功率密度和可靠性。在典型应用条件下，HHM2602能够在7.9至8.4 GHz频段内提供不低于38 dB的小信号增益，并在1 dB压缩点下输出超过10瓦的连续波功率，满足高强度信号放大的需求。
该芯片具备出色的线性度和低失真特性，使其在复杂调制信号（如QPSK、16QAM甚至更高阶调制方式）传输中表现出色，有效降低误码率并提升通信链路质量。此外，其内部集成了输入/输出匹配网络和偏置电路，简化了外部电路设计，减少了对额外无源元件的依赖，提高了系统的集成度与一致性。芯片还具备良好的抗负载失配能力，在输出端口存在一定程度阻抗不匹配时仍能稳定工作，避免因反射导致的性能下降或器件损坏。
为了保障长期运行的可靠性，HHM2602设计有完善的热管理机制，其陶瓷金属封装不仅具有优良的射频性能，还能高效传导热量至散热基板，防止局部过热。同时，该器件通过严格的环境测试验证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适用于户外通信设备、车载平台及航空航天等严苛应用场景。整体而言，HHM2602凭借其高功率、高增益、宽带宽和高可靠性的综合性能，成为现代微波通信系统中关键的射频放大解决方案之一。
HHM2602主要用于高性能微波通信系统中作为末级或中间级功率放大器，典型应用场景包括卫星通信地球站、军用战术通信系统、民用点对点微波接力传输链路、相控阵雷达发射模块以及部分5G扩展频段基站射频单元。在卫星通信中，该芯片可用于上行链路信号的高功率放大，确保远距离传输中的信号强度与完整性；在雷达系统中，其高脉冲功率输出能力有助于提升探测距离与分辨率。此外，由于其良好的频率响应和线性表现，也适用于需要高保真射频放大的测试仪器和宽带通信实验平台。
HM2602
HR2602
AMMC-6020
