时间：2025/6/11 20:56:01
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NUP3125WTT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，适用于高频和高功率密度应用场合。它采用了增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关速度，能够在高频条件下实现更高的能效表现。
该芯片集成了驱动器保护功能，并支持宽范围输入电压，非常适合用于 AC/DC 转换器、图腾柱 PFC、DC/DC 转换器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
型号：NUP3125WTT1G
类型：GaN 功率开关
工作电压：10V 至 600V
导通电阻：8mΩ 典型值
最大电流：30A
封装形式：TO-247-3L
结温范围：-55°C 至 +175°C
开关频率：高达 2MHz
栅极驱动电压：4.5V 至 6V
反向恢复电荷：小于 5nC
NUP3125WTT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，仅为 8mΩ，从而显著降低传导损耗。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，使设计可以使用更小的无源元件，从而减小整体系统体积。
3. 高耐压能力，额定击穿电压为 600V，确保在高压环境下的稳定运行。
4. 内置保护机制，包括过流保护、过热保护等，提高了系统的可靠性和安全性。
5. 简化的栅极驱动需求，仅需较低的驱动电压即可实现高效开关操作。
6. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种极端环境条件。
NUP3125WTT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC/DC 转换器中的高频整流与逆变。
2. 图腾柱功率因数校正 (PFC) 电路，提升功率密度和效率。
3. 电动汽车充电设备和储能系统中的 DC/DC 转换器。
4. 工业电机驱动及可再生能源发电系统中的功率管理模块。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品的高效率电源解决方案。
NUP2125WTT1G, NUP3115WTT1G
