时间：2025/8/2 7:24:06
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PMPB48EP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。该器件采用先进的技术设计，能够在高频率下保持良好的性能，同时提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：180 A
导通电阻（RDS(on)）：4.8 mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMPB48EP 具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高了整体效率。该器件的设计优化了开关性能，使其适用于高频开关电路，如同步整流器和DC-DC转换器。此外，PMPB48EP 的封装采用了PowerFLAT 5x6形式，具有良好的热管理性能，有助于热量快速散发，从而提高系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET还具备较高的雪崩耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，避免器件损坏。其栅极设计允许使用标准的10V驱动电压，与大多数控制器和驱动器兼容，简化了设计过程。此外，PMPB48EP 在极端温度下仍能保持稳定的电气性能，适合在工业和汽车等严苛环境中使用。
PMPB48EP 主要应用于高性能电源系统，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高效能和低导通电阻的特性，它特别适合用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源管理场合。在电动汽车和混合动力汽车中，PMPB48EP可用于电池管理系统中的功率控制单元，确保电池组在充放电过程中保持高效运行。此外，在服务器电源和通信设备中，该器件能够显著降低功率损耗，提高整体能效。
IPB48N04NG、IRF180N
