时间：2025/6/14 16:32:38
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CGA3E2C0G2A270JT0Y0N 是一款由知名半导体厂商生产的高性能功率 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
其封装形式为 TO-263-3（DPAK），能够提供出色的散热性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。该型号主要面向工业、汽车以及消费电子领域。
类型：功率 MOSFET
极性：N沟道
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.7mΩ
ID（持续电流）：148A
功耗：159W
封装：TO-263-3 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（RDS(on)）使得该器件在开关状态下损耗显著降低，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率负载需求。
3. 采用 DPAK 封装，具备优秀的热性能和电气性能。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的可靠性和稳定性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
CGA3E2C0G2A270JTA0Y0N
IRF3710
FDP5800
