时间：2025/6/27 13:29:37
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PESDHC2FD15VU 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制 (TVS) 芯片二极管，主要设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过电压瞬态的损害。该器件具有超低电容特性，非常适合高速数据线路和高频应用。
它采用了DFN101-2封装形式，这种封装小巧且散热性能良好，适用于高密度电路板布局。PESDHC2FD15VU 提供了双向保护功能，可以同时处理正负方向的瞬态电压。
工作电压：±15V
峰值脉冲电流：6A
箝位电压：±27.8V
动态电阻：0.4Ω
结电容：0.4pF
响应时间：≤1ps
最大工作温度范围：-55℃至+150℃
PESDHC2FD15VU 的关键特性包括：
1. 极低的结电容（仅0.4pF），使其非常适用于高速数据接口如USB3.0、HDMI、DisplayPort等。
2. 双向保护结构支持对称的正负瞬态电压抑制。
3. 高度可靠的ESD防护能力，符合IEC61000-4-2国际标准，达到接触放电±30kV和空气放电±30kV。
4. 小型化DFN101-2封装，节省PCB空间并提高设计灵活性。
5. 快速响应时间（≤1ps）确保及时抑制瞬态威胁，保护下游电路不受损害。
6. 工作温度范围宽广，能够适应各种恶劣环境条件。
这款芯片广泛应用于需要可靠ESD保护的场景中，例如：
1. 消费类电子产品中的高速数据线保护，如手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB-C接口。
2. 音视频传输接口保护，如HDMI、DisplayPort、DVI等。
3. 工业自动化设备中的通信端口保护，如RS-485、CAN总线等。
4. 网络设备的数据链路保护，如以太网端口、Wi-Fi模块等。
5. 汽车电子系统中的信号线路保护，如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)中的传感器接口。
PESDHC2BD15VU, PESDHC2FD12VU, PESDHC2FD24VU
