时间：2025/5/20 15:28:28
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FQD4N65C 是一款 N 沪道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 650V，适合在高电压环境下工作，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7.3A
栅极阈值电压：2~4V
导通电阻（典型值）：1.2Ω
总功耗：22W
工作温度范围：-55℃~150℃
1. 高电压承受能力，最大漏源电压高达 650V。
2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关特性，适合高频应用。
4. 栅极电荷较小，驱动简单。
5. 良好的雪崩耐量能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 小尺寸封装，便于电路板布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动控制电路。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换元件。
4. 高频 DC-DC 转换器。
5. 各种工业电子设备中的功率管理模块。
IRF640N
FQP14N65C
STP12NM65
IXTP14N65L2
