JX2N3700 时间：2025/9/3 13:40:34 阅读：8

JX2N3700 是一款常见的N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率放大器、开关电路、DC-DC转换器等电子系统中。该晶体管基于硅材料制造，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。其封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，适用于中等功率的电子设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：100mA
　　最大漏-源电压：40V
　　最大栅-源电压：10V
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω
　　增益带宽：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

JX2N3700 具备一系列优良的电气特性，适合多种电子应用。其N沟道结构使其在正向电压下具有良好的导通性能，同时具备较高的输入阻抗，降低了对驱动电路的要求。该器件的最大漏极电流为100mA，能够满足中等功率电路的需求。漏-源电压最大为40V，使其适用于多种低压直流电路环境。
　　此外，JX2N3700 的导通电阻约为5Ω，这在同类器件中表现良好，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其栅-源电压最大值为10V，这确保了栅极控制的稳定性，并防止过压损坏。频率响应方面，JX2N3700 具有100MHz的增益带宽，适用于高频放大和开关应用。

应用

JX2N3700 主要用于需要中等功率控制的电子系统中。例如，在功率放大器中，它可以作为高频信号放大元件，提供良好的线性响应和低失真性能。在开关电路中，该器件能够高效地控制负载的通断状态，适用于继电器驱动、LED控制、电机控制等场景。此外，JX2N3700 也常用于DC-DC转换器、电源管理模块和电池供电设备中，以提高能量转换效率。