PESD9B3.3-A 是一款高性能的双向瞬态电压抑制器 (TVS) 芯片,专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用超紧凑型封装,适合空间受限的应用场景。它具有低电容特性,能够保持信号完整性,并提供快速响应时间以有效抑制瞬态脉冲。
这款芯片广泛应用于数据线、通信接口、传感器输入输出线路等场合,确保系统稳定性和可靠性。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±9A
箝位电压:±18V
动态电阻:≤0.6Ω
电容:15pF
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DFN1006-2 (1.0x0.6mm)
PESD9B3.3-A 提供卓越的 ESD 防护性能,符合 IEC 61000-4-2 国际标准,支持 ±30kV(空气放电)和 ±30kV(接触放电)。其双向对称结构使得正负电压都能被有效抑制,无需考虑极性问题。
此外,器件具备低泄漏电流 (<1μA),在正常工作条件下不会干扰电路运行。同时,它的微型封装使其非常适合便携式和高密度设计,如智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品。
由于响应速度极快,PESD9B3.3-A 可以迅速将瞬态能量转移到地,从而保护后端电路不受损害。
PESD9B3.3-A 主要用于以下领域:
1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护
2. 移动通信设备中的射频前端防护
3. 工业自动化设备的数据总线防护
4. 汽车电子系统的控制信号线防护
5. 医疗设备和物联网终端的输入输出端口保护
PESD9B3.3-T, PESD7B3.3GA, SMAJ3.3A