工作电压范围：5.5V 至 20V
　　输出驱动电流：高端和低端均为1.6A（峰值）
　　驱动类型：双路半桥驱动器
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16
　　传播延迟：典型值为 10ns
　　上升/下降时间：典型值为 5ns（在18V电源下）
　　输入逻辑电压兼容性：3.3V、5V TTL/CMOS
　　死区时间控制：可调死区时间以防止直通
　　自举电压范围：最大可达 600V（与外部电路配合）

IX1516GE 的核心特性之一是其双路半桥驱动能力，能够独立控制两个MOSFET器件，适用于高边和低边开关应用。其高驱动电流输出（1.6A峰值）可有效提升MOSFET的开关速度，降低开关损耗。
　　芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET在非理想状态下工作，提高系统可靠性。
　　此外，IX1516GE 集成了自举电路，通过外部自举电容实现高端MOSFET的浮动电源供电，简化了外围电路设计。其死区时间控制功能可通过外部电阻调节，防止上下桥臂同时导通造成短路，提升系统稳定性。
　　该器件具备良好的抗干扰能力，适合在高噪声环境中使用，如工业控制和电源转换设备中。其高速开关特性也使得该芯片适用于高频开关电源设计，提高系统效率和功率密度。
　　IX1516GE 还支持宽范围的输入逻辑电压，兼容3.3V和5V控制信号，方便与现代控制器或DSP接口连接。

IX1516GE 主要应用于需要高效、高频MOSFET驱动的功率电子系统中，例如：
　　1. 同步整流型DC-DC转换器：用于提高效率并减少热量产生。
　　2. 半桥结构的开关电源（SMPS）：适用于AC-DC电源适配器、服务器电源等。
　　3. 电机驱动系统：如无刷直流电机（BLDC）控制器或伺服驱动器。
　　4. 功率因数校正（PFC）电路：用于改善输入电流波形，提高能源利用率。
　　5. 工业自动化设备：如变频器、UPS不间断电源和焊接电源等。
　　由于其高耐压能力和紧凑封装，IX1516GE 在空间受限和高可靠性要求的嵌入式系统中也得到了广泛应用。

IR2110、LM5101B、FAN7380、MIC5020、TC4420