晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：200mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据电流和电压条件变化）

LMBT4403ALT1G的主要特性包括高电流增益、快速开关能力和高稳定性。该晶体管能够在宽温度范围内工作，适应各种环境条件。其SOT-23封装形式小巧，便于在高密度电路设计中使用，并具有较低的功耗。此外，LMBT4403ALT1G的高可靠性和耐用性使其成为工业自动化和消费电子领域的理想选择。
　　LMBT4403ALT1G的增益（hFE）范围广泛，从110到800，使其在不同电路配置中都能提供优异的性能。同时，该晶体管的频率响应较高，能够支持快速的信号处理和数据传输。其集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）较低，在高电流工作条件下能够减少功率损耗并提高效率。此外，LMBT4403ALT1G的耐压性能良好，能够承受较高的电压应力，确保电路在异常条件下依然稳定运行。

LMBT4403ALT1G广泛应用于各种电子设备中，包括便携式电子产品、开关电路、数字逻辑电路和信号放大器等。在便携式设备中，它常用于电池管理、电源控制和信号调节。在开关电路中，LMBT4403ALT1G可以提供高效的开关操作，适用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。在数字逻辑电路中，它常用于构建逻辑门和触发器，确保电路的稳定性和快速响应。此外，该晶体管也适用于低频放大器和传感器接口电路，为传感器信号提供放大和处理功能。

BC847BW, 2N3904, MMBT4403