NX7002BKVL是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于中低功率开关应用。该器件采用SOT-223封装形式,具备良好的热稳定性和较高的开关效率,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关及逻辑电平转换等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):110mA(在VGS=10V时)
导通电阻(RDS(on)):约5.5Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOT-223
NX7002BKVL具有低导通电阻、高速开关性能和良好的热稳定性,适合用于高频开关电路。其SOT-223封装具备良好的散热能力,适用于空间受限的高密度电路设计。此外,该MOSFET具备较高的栅极绝缘强度,确保在高电压环境下稳定运行。器件的栅极驱动电压范围宽,可在3.3V至10V之间工作,兼容多种逻辑电平控制电路。
此外,NX7002BKVL符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。其内部结构优化,降低了寄生电容,从而减少开关损耗,提高整体效率。该MOSFET在负载开关和电平转换应用中表现出色,能够在多种电源管理场景中提供稳定可靠的性能。
NX7002BKVL广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备、电池管理系统和嵌入式系统中的电源管理模块。具体应用包括DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、逻辑电平转换器以及低功率开关电路。其小巧的SOT-223封装也适用于空间受限的高密度PCB布局。
2N7002, 2N7002K, BSS138