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NX7002BKVL 发布时间 时间:2025/9/14 12:51:19 查看 阅读:24

NX7002BKVL是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于中低功率开关应用。该器件采用SOT-223封装形式,具备良好的热稳定性和较高的开关效率,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关及逻辑电平转换等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):110mA(在VGS=10V时)
  导通电阻(RDS(on)):约5.5Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-223

特性

NX7002BKVL具有低导通电阻、高速开关性能和良好的热稳定性,适合用于高频开关电路。其SOT-223封装具备良好的散热能力,适用于空间受限的高密度电路设计。此外,该MOSFET具备较高的栅极绝缘强度,确保在高电压环境下稳定运行。器件的栅极驱动电压范围宽,可在3.3V至10V之间工作,兼容多种逻辑电平控制电路。
  此外,NX7002BKVL符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。其内部结构优化,降低了寄生电容,从而减少开关损耗,提高整体效率。该MOSFET在负载开关和电平转换应用中表现出色,能够在多种电源管理场景中提供稳定可靠的性能。

应用

NX7002BKVL广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备、电池管理系统和嵌入式系统中的电源管理模块。具体应用包括DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、逻辑电平转换器以及低功率开关电路。其小巧的SOT-223封装也适用于空间受限的高密度PCB布局。

替代型号

2N7002, 2N7002K, BSS138

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NX7002BKVL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.23039卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23.6 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)310mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3