时间：2025/5/10 10:39:02
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PESD5V0X1ULD 是一款基于硅技术的低电容 ESD (静电放电) 保护二极管，专为高速数据线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件具有超低电容特性，非常适合用于高速信号线防护，例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 和其他高频接口。其紧凑的外形和卓越的电气性能使其成为现代电子设备中敏感电路的理想保护解决方案。
该型号属于 NXP（恩智浦）半导体公司的 PESD 系列产品，旨在满足消费类电子、通信设备以及工业应用中的严格 ESD 防护要求。通过符合 IEC 61000-4-2 国际标准的测试，确保其能够承受高达 ±20kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
工作电压：5V
最大箝位电压：9.3V
峰值脉冲电流：8A
电容：0.4pF
响应时间：典型值 1ns
封装：DFN1006-2
结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度：-65°C 至 +150°C
1. 超低负载电容 (0.4pF)，对高速信号的影响极小。
2. 快速响应时间 (1ns)，可有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高级硅技术制造，确保稳定性和可靠性。
4. 符合 IEC 61000-4-2 标准，支持高达 ±30kV 的空气放电和 ±20kV 的接触放电保护。
5. 小型 DFN1006-2 封装，节省 PCB 空间。
6. 适用于无铅工艺，并符合 RoHS 指令要求。
7. 在高频应用中保持优异的信号完整性。
PESD5V0X1ULD 广泛应用于需要高效 ESD 保护的场景，包括但不限于：
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线防护。
3. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的射频信号保护。
4. 工业控制系统的通信接口保护。
5. 消费类电子产品（如笔记本电脑、电视等）的高速数据传输线路保护。
6. 光学模块和网络设备中的信号线防护。
PESD5V0X1B, PESD5V0UA1BL, PESD5V0UT1BL
